vgs（vgs是什么(me)意思）
Vgs是负压是PMOS类(lei)型的管子。
Vgs是栅(shan)极相对于源极的电压。与NMOS一样(yang)，导通的PMOS的工作(zuo)区域也分为非饱和区，临界饱(bao)和点和饱和区。当然，不论NMOS还(hai)是PMOS，当未形(xing)成反型沟道时，都处(chu)于截止区。
MOS管(guan)的原理：
双极型晶体管把输入端电(dian)流的微小变化放大后，在输(shu)出端输出一个大的电流(liu)变化。双极型晶(jing)体管的增益就定义为输(shu)出输入电流之比（beta）。另(ling)一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化(hua)为输出电流的变化。
MOS管中Vgs是什么意思Vgs是栅极相(xiang)对于源极的电压。
与NMOS一样，导(dao)通的PMOS的工作区域也分为(wei)非饱和区，临界饱和点和饱和区。当(dang)然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其(qi)电压条件是：
|VGS||VTP (PMOS)|，
值得(de)注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。
PMOS集成电路(lu)是一种适合在低速、低频领域内应(ying)用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压(ya)供电。MOS场(chang)效应晶体管具有很高(gao)的输入阻抗，在电路中便于直(zhi)接耦合，容易制成规(gui)模大的集成电路。
扩(kuo)展资料
PMOS工作原理——
因为PMOS是N型硅(gui)衬底，其中的多数载流子是(shi)电子，少数载流子是空(kong)穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源(yuan)极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电(dian)荷电子，而在衬底感应的是可运动(dong)的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层(ceng)。
当达到强(qiang)反型时，在相对于源端为负的(de)漏源电压的作用下，源端的正电(dian)荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端(duan)，形成从源到漏的源漏电流。同样(yang)地，VGS越负(绝对(dui)值越大)，沟道的导(dao)通电阻越小，电流的数值越大(da)。
MOS管中VGS的(de)作用亲，对于NMOS，bulk衬底端B跟S通(tong)常都连接到一起接地。这是(shi)为了防止BS之间的二极管正向(xiang)导通。另外你说(shuo)的也没错，阈值电压VT的(de)确受SB间的电压影响，V_SB越(yue)高，VT越大。模拟电路设计中(zhong)要注意的问题之一就是源极S电(dian)压对阈值的影响。
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